Mit Hilfe der zerstörungsfreien Schneidetechnik werden Siliziumwafer gleichmäßig in zwei oder mehr Teile geschnitten, um eine niedrigere Nennbetriebstemperatur (NOCT) zu erreichen, Abschattungsverluste zu verringern und die Umwandlungseffizienz zu verbessern.

Eine Modultechnologie, die von beiden Seiten Strom erzeugt. Wenn die Sonne auf ein bifaziales Modul scheint, wird ein Teil des Lichts von der Umgebung auf die Rückseite des Moduls reflektiert, wo es von den Zellen zur Stromerzeugung absorbiert werden kann.

Interdigitale Rückkontaktzellen. Bei dieser Technologie werden N-Typ-Silizium-Wafer verwendet, die sowohl auf der Vorder- als auch auf der Rückseite mit einer thermischen Oxidschicht überzogen sind, die eine Energieumwandlung durch Rückkontakt ermöglicht. Die Vorderseite der Zelle ist frei und ermöglicht eine maximale Absorption des Sonnenlichts.

Passivierte Tunnel-Oxid-Kontaktzellen. Die Zellstruktur ermöglicht einen eindimensionalen Längstransport von Ladungsträgern und reduziert gleichzeitig die Verbindung von Metallen mit Siliziumsubstraten, was zu einer höheren kombinierten Stromerzeugung führt.

Passivierte Tunnel-Oxid-Kontaktzellen. Die Zellstruktur ermöglicht einen eindimensionalen Längstransport von Ladungsträgern und reduziert gleichzeitig die Verbindung von Metallen mit Siliziumsubstraten, was zu einer höheren kombinierten Stromerzeugung führt.

Bei der Shingled-Technologie werden die Siliziumwafer in der Regel in mehr als 5 Teile geschnitten und mit einem flexiblen leitfähigen Klebstoff bei niedrigen Temperaturen verbunden, um eine nahtlose Verbindung zwischen den Zellen zu erreichen, wodurch die Ausgangsleistung der Module erheblich gesteigert wird.